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英飞凌MOSFET管原装 |
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汽车场效应管应用
在汽车应用中,MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPB60R125C6ATMA1
IPB60R280C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1
IPB65R099C6ATMA1
IPB65R225C7ATMA2
IPB720P15LMATMA1
IPC022N03L3X1SA1
IPC100N04S5L-1R1
IPC100N04S5L-1R5
IPC100N04S5L-1R9
我们只做原装,每颗芯片经得起检验!
12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”,指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS(开启).第二类是“有源”,非常适合宽开关频率,并提供业界佳的品质因数(FOM)以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPA80R600P7XKSA1
IPA80R650CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R340C3XKSA2
IPA95R450P7XKSA1
IPB011N04LGATMA1
IPB011N04NGATMA1
IPB015N04LGATMA1
IPB015N04NGATMA1
IPB015N08N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1
IPB020N04NGATMA1
IPB020N08N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1
IPB034N03LGATMA1
更多型号请联系,网站内手机,期待你的合作!
P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择,包括B保护, 崇敬极性保护, 线性电池充电器, 负载开关,直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.汽车应用
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPA60R460CEXKSA1
IPA60R600CPXKSA1
IPA60R600E6XKSA1
IPA60R650CEXKSA1
IPA65R045C7XKSA1
IPA65R065C7XKSA1
IPA65R095C7XKSA1
IPA65R125C7XKSA1
IPA65R190C7XKSA1
IPA65R190E6XKSA1
IPA65R1K5CEXKSA1
IPA65R225C7XKSA1
IPA65R280E6XKSA1
IPA65R380E6XKSA1
IPA65R400CEXKSA1
IPA65R650CEXKSA1
IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R1K2P7XKSA1
IPA80R1K4CEXKSA2
IPA80R1K4P7XKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货,欢迎咨询合作!
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子,其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面,主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压(V一般事务人员) 导通(与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压)。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术,通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPA60R099C6XKSA1
IPA60R099C7XKSA1
IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1
IPA60R125C6XKSA1
IPA60R125CPXKSA1
IPA60R125P6XKSA1
IPA60R160C6XKSA1
IPA60R160P6XKSA1
IPA60R160P7XKSA1
IPA60R190C6XKSA1
IPA60R190P6XKSA1
IPA60R230P6XKSA1
IPA60R280C6XKSA1
IPA60R280E6XKSA1
IPA60R299CPXKSA1
IPA60R380E6XKSA1
IPA60R380P6XKSA1
IPA60R400CEXKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货,欢迎咨询合作!手机同号。
英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN (氮化镓)晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验,英飞凌完善了增强模式方案,并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准,于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IAUC100N04S6N022
IAUC100N04S6N028
IAUC100N08S5N043
IAUC100N10S5L040
IAUC100N10S5N040
IAUC120N04S6L008
IAUC120N04S6L009
IAUC120N04S6L012
IAUC120N04S6N009
IAUC120N04S6N010
IAUC120N04S6N013
IAUS165N08S5N029
IAUS180N04S4N015
IAUS200N08S5N023
IAUS240N08S5N019
IAUS300N04S4N007
IAUS300N08S5N012
IAUS300N08S5N014
IAUT150N10S5N035
IAUT200N08S5N023
我司承诺所有产品均为原装,可提供专项发票。
英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案,如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
SPD02N80C3ATMA1
SPD03N50C3ATMA1
SPD03N60C3ATMA1
SPD04N50C3ATMA1
SPD04N60C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1
SPD04P10PGBTMA1
SPD06N80C3ATMA1
SPD07N60C3ATMA1
SPD07N60S5BTMA1
SPD08P06PGBTMA1
SPD15P10PGBTMA1
SPD18P06PGBTMA1
SPD30N03S2L-07G
SPD30N03S2L-20G
SPD30P06PGBTMA1
SPD50P03LGBTMA1
SPI07N65C3XKSA1
SPP06N60C3XKSA1
SPP06N80C3XKSA1
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
主营行业:IC集成电路 |
公司主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片 |
主营地区:深圳 |
企业类型:有限责任公司(自然人独资) |
注册资金:人民币1000000万 |
公司成立时间:2018-12-27 |
经营模式:生产+贸易型 |
最近年检时间:2018年 |
登记机关:南山局 |
经营范围:电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售;投资兴办实业(具体项目另行申报);经营电子商务;商务信息咨询;互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^ |
公司邮编:518000 |
————— 认证资质 —————
绵阳本地英飞凌MOSFET管原装热销信息