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INFINEON/英飞凌常用型号大全 |
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IRFR13N15DTRPBF产品特性:
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能,即英飞凌超级势垒二极管(单片集成肖特基二极
管)。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0504NSI
IRF1104PBF
IPD053N06N
IRFBC20PBF
IPB057N06N
IRLZ24NPBF
IRF100B202
IRF2804PBF
IPP040N06N
SPA08N80C3
IRL2505PBF
IRFR5305TRPBF
IRFR024NTRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR7843TRPBF
常用型号大量现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 D2Pak 封装
优点:
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平:针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化,能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装(高达 195 A,取决于芯片尺寸)
可进行波峰焊
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
SPP17N80C3
IRF100S201
IRFZ48NPBF
IRL520NPBF
SPA20N60C3
IRL40SC228
IRF3415PBF
IRFZ44VPBF
IRF1407PBF
IRFZ46NPBF
SPW17N80C3
IRF250P225
IRF135S203
IRF200P223
SPA11N60C3
常用型号大量现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN (氮化镓)晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验,英飞凌完善了增强模式方案,并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准,于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0805LSATMA1
IRFS7530TRLPBF
IRFS4115TRLPBF
IRFS7437TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
IRF520NSTRLPBF
IRF3415STRLPBF
IRFS4010TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
IRLTS2242TRPBF
IRFS7430TRL7PP
BSC0702LSATMA1
IRLHS2242TRPBF
IRFTS8342TRPBF
我司承诺所有产品均为原装,可提供专项发票。
主营行业:IC集成电路 |
公司主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片--> |
主营地区:深圳 |
企业类型:有限责任公司(自然人独资) |
注册资金:人民币1000000万 |
公司成立时间:2018-12-27 |
经营模式:政府或其他机构 |
最近年检时间:2018年 |
登记机关:南山局 |
经营范围:电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售;投资兴办实业(具体项目另行申报);经营电子商务;商务信息咨询;互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^ |
公司邮编:518000 |
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