STF5N80K5，ST意法场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性：
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电，工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件，从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备，包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STFH10N60M2
STFH13N60M2
STFH18N60M2
STFI10NK60Z
STFI13N65M2
STFI13NM60N
STFI15N60M2-EP
STFI24N60M2
STFI26NM60N
STFI31N65M5
STFI9N60M2ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF17NF25
STF18N60M2
STF18N65M2
STF18NM60N
STF18NM80
STF19NF20
STF20N65M5
STF20N90K5
STF20N95K5
STF20NF20
STF20NM65N-Y11
STF21N65M5
STF23NM60
STF24N60DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配，易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围，可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分MOSFET型号：
STB100NF03L-03T4
STB10LN80K5
STB11N65M5
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
STB120NF10T4
STB12NM50ND
STB13N60M2
STB13N80K5
STB13NM60N
STB14NK50ZT4
STB150NF04
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB6N60M2
STB6NK60ZT4
STB6NK90ZT4
STB75NF20
STB75NF75LT4
STB75NF75T4
STB80NF10T4
STB80NF55L-08-1
STB8NM60T4
STB9NK50ZT4
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD10LN80K5
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数，同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能：
典型 RDS（打开）= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD5N20LT4
STD5N52K3
STD5N52U
STD5N60DM2
STD5N60M2
STD5N95K3
STD5N95K5
STD5NK40Z-1
STD5NK40ZT4
STD5NK50ZT4
STD5NK60ZT4
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计，该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷，适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD8N65M5
STD8N80K5
STD95N4F3
STD96N3LLH6
STD9N60M2
STD9N60M6
STD9N65M2
STD9NM50N
STD9NM60N
STDLED625H
STE40NC60
STE88N65M5
STF100N10F7
STF10N105K5
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