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LOWVF肖特基二极管 |
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SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不60V，高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
在使用肖特基二极管时，需要注意以下几点：
选择合适的型号：根据实际应用场景选择合适的肖特基二极管型号，以确保其性能满足需求。
控制正向电流：肖特基二极管的正向电流较大时，会产生较大的热量，需要合理控制正向电流以防止过热损坏。
注意反向电压：肖特基二极管的反向击穿电压较低，需要避免过高的反向电压以免损坏器件。
肖特基二极管作为一种特的半导体器件，在PCB电路设计与SMT贴片生产制造中具有广泛的应用前景。通过深入了解肖特基二极管的特性、优势和应用场景，我们可以更好地利用这一器件，提高电路性能和可靠性。
肖特基（Schottky）二极管的大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
LOW VF肖特基二极管的结构和特性使其适用于低电压和大电流输出场合的高频整流，甚高频(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)的检测和混频，以及高速逻辑电路中的箝位。LOW VF肖特基二极管也常用于集成电路，如肖特基二极管。TTL集成电路长期以来一直是TTL电路的主流，并广泛应用于高速计算机中。
LOW VF肖特基二极管在微波通信电路中用作整流二极管和小信号检测二极管。它常用于通信电源、变频器等。一个典型的应用是，在双极晶体管BJT的开关电路中，LOW VF肖特基二极管连接到BJT箝位电路，使得晶体管在导通状态时实际上处于非常关断的状态，从而提高晶体管的开关速度。该方法适用于典型数字集成电路的TTL内部电路，如74LS、74ALS和74AS。
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主要产品有LowVF肖特基、碳化硅、氮化镓、FRED超快恢复二极管、高压双向触发二极管、大功率稳压二极管、可控硅、TVS瞬态抑制管、合金软桥。各种封装包括：DO系列、17-02。贴 片系列有SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、S8M、TO-277B、ABS、MSB、DB、HBS、YBS。PDFN5*6-8L、TO-251、TO-252、TO-220、TO-262、TO-263、TO-247。整流桥GBP、KBP、D3K、GBU、GBJ、KBL、系列等。产品广泛用于交通、通讯，电脑、家用电器、玩具等数码电子产品等多个领域。
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